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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司顺丰首重是多少公斤多少钱，顺丰首重是多少公斤续重多少钱产品(pǐn)。

　　此次对美(mě顺丰首重是多少公斤多少钱，顺丰首重是多少公斤续重多少钱i)光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND顺丰首重是多少公斤多少钱，顺丰首重是多少公斤续重多少钱 Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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